Разработка и исследование тонкопленочных электродных материалов для полупроводниковой оптоэлектроники

На базе ТОО «Физико-технический институт» подготовлена диссертациоанная работа «Разработка и исследование тонкопленочных электродных материалов для полупроводниковой оптоэлектроники» Шонгаловой Айгул Қабылқызы.

Шоңғалова А.Қ. училась в докторантуре по специальности «6D074000 Наноматериалы» в НАО КазНИТУ им. К.И.Сатпаева. Она является научным сотрудником лаборатории физических явлений и приборов, и основной исполнитель по программе ПЦФ BR05236404.

Руководителем является Токмолдин Нурлан Серекболович – PhD, Мария Коррея - PhD, Паулу Фернандеш- PhD.

Целью данной работы является разработка и исследование тонкопленочных электродных материалов для полупроводниковой оптоэлектроники.

Для достижения указанной цели разработан метод выращивания халькогенидных тонких пленок и проведено измерение их оптоэлектрических свойств.

Новизна данной работы заключается в разработке метода получения халькогенидных тонких пленок для оптоэлектроники. В процессе исследовании тонких пленок селенида сурьмы методом комбинационного рассеяния были представлены убедительные доказательства того, что пик расположенный около 250 см-1 в тонких пленках Sb2Se3 не принадлежит этому бинарному соединению.