Лаборатория инновационных функциональных материалов

Основные направления работ – физика конденсированного состояния, коллоидная химия, физика твердого тела, наноматериалы и т.д.

Основной целью Лаборатории инновационных материалов (далее - ЛИМ) - создание новых перспективных материалов различного функционального назначения и проведение научно-исследовательской и опытно-конструкторских работ по приоритетным направлениям научно-технологического развития.

Основные задачи и ЛИМ состоят в следующем:

• реализация программ и проектов, в том числе фундаментальных, прикладных, инновационных исследований по приоритетным направлениям научного и технологического развития;
• подготовка высококвалифицированных кадров;
• развитие международных научно-технических связей, расширение научно-технического сотрудничества с научными центрами и научными учреждениями Республики Казахстан, стран СНГ и зарубежных стран.
• повышение ответственности персонала за качество выполняемых НИР;
• обеспечение полноты и правильности проведения НИР;
• проводить коммерциализацию полученных результатов НИОКР

 
Основное оборудование

Атомно-силовой микроскоп

Назначение: сканирующий зондовый микроскоп JSPM-5200 (фирма Jeol, Japan, 2006г.) предназначен для определения рельефа    поверхности физических объектов с атомарной точностью.

Атомно-силовой микроскоп JSPM-5200

Спектральный эллипсометр  «Эллипс-1000М»

Назначение: неразрушающий метод экспресс анализа параметров тонких пленок.

Технические характеристики: Спектральный диапазон – 250÷1000 нм, полный спектр – 8÷20 с. Диаметр светового пучка – 3 мм. Диапазон углов падения света фиксировано – 45, 50, 55, 60, 65, 70, 90°. Воспроизводимость – dψ=0.02°, dΔ= 0.05.

Спектральный эллипсометр  «Эллипс-1000М»

Спектрофотометры СФ-256 УВИ и СФ-256 БИК

Назначение: спектрофотометры СФ-256 УВИ и СФ-256 БИК предназначены для снятия спектров пропускания в ультрафиолетовой, видимой и ближней инфракрасной области.

Спектрофотометры СФ-256 УВИ и СФ-256 БИК

Cпектрометр Optima 2000DV фирмы Perkin Elmer с индуктивно-связанной плазмой (ИСП)

Назначение: определение примесей в кварците и кремнии методом атомно-эмиссионной спектрометрии с высокочастотной индуктивно-связанной плазмой (АЭС и ИСП) на спектрометре Optima 2000DV фирмы Perkin Elmer. Сущность метода: основой метода является измерение атомной эмиссии жидких проб с помощью спектроскопической техники. Твердые образцы разлагаются концентрированными кислотами, полученный раствор разбавляется и распыляется в разрядной камере – в плазменной горелке, где аэрозоль испаряется и атомизируется. Спектры излучения – характеристические атомно-эмиссионные спектры образуются с помощью высокочастотной индуктивно-связанной плазмой (ИСП).

Спектрометр Optima 2000DV с индуктивно-связанной плазмой (Perkin-Elmer (США), 2003г., средняя чувствительность 10-5 %. Предел измерения содержания 0.1-0.01 ppm.)

Индукционный плавильный комплекс на основе печей GWJ 1–500–0.5

Назначение: индукционный плавильный комплекс на основе печей GWJ 1–500–0.5 с графитовым тиглем предназначен для выплавки металлургического кремния алюминотермическим методом. Выплавка производится токами средней частоты в индукционной тигельной электропечи путем восстановления двуокиси кремния металлическим алюминием до свободного кремния.

Структура условного обозначения GWJ  1-500-0.5

• 0,5 - номинальная частота, кГц;
• 500 - номинальная мощность, кВт;
• 1 - номинальная ёмкость, в тоннах.

Индукционный плавильный комплекс на основе печей GWJ 1–500–0.5

Плавильная индукционная установка «Параллель» ИПТ-100-2,4-0,075-Г-УХЛ4

Назначение: параллель – фирменное наименование, И – индукционная, П – плавильная, Т – тигельная, 100 – мощность преобразователя частоты, кВт; 2,4 – частота рабочая, кГц, 0,075 – емкость печи, т, Г – гидравлический, способ наклона печи, УХЛ4 – климатическое исполнение и категория размещения по ГОСТ 15150-69 и ГОСТ 155431-89.

Полупромышленная линия для производства и очистки металлургического кремния

Установка для выращивания полупроводниковых монокристаллов, модель TCR-5C, производитель Techno Search Corp., Япония

Назначение: выращивание полупроводниковых монокристаллов.

Особенности и возможности: получение кристаллов кремния диаметром до 3 см и длиной до 15 см, максимальная температура расплава 1900°С.

Установка для выращивания полупроводниковых монокристаллов, модель TCR-5C, производитель Techno Search Corp., Япония